芯力特國(guó)產(chǎn)(CAN?FD)芯片SIT1051，IO兼容3.3.V邏輯電平

發(fā)布日期：2021-01-06發(fā)布者：芯力特 分享到:

　芯力特國(guó)產(chǎn)(CAN FD)芯片SIT1051，IO兼容3.3.V邏輯電平

　　引文：芯力特3.3V邏輯輸入電源的高性能CAN FD收發(fā)器芯片，總線耐壓達(dá)到±70V以上，支持5Mbps (CAN FD)靈活數(shù)據(jù)速率，具有在總線與CAN協(xié)議控制器之間進(jìn)行差分信號(hào)傳輸?shù)哪芰?hellip;…

　　近年來(lái)，隨著5G時(shí)代的到來(lái)，對(duì)于數(shù)據(jù)傳輸速率的提高，傳統(tǒng)CAN芯片只有1Mbps傳輸速率，需要更高速率的CAN芯片，而芯力特3.3V邏輯輸入電源的高性能(CAN FD)收發(fā)器芯片，支持5Mbps(CAN FD)靈活數(shù)據(jù)速率，是CAN總線標(biāo)準(zhǔn)的升級(jí)版。

　　芯力特(CAN FD)芯片的具體參數(shù)如下：

　　一、芯片引腳

　　二、相關(guān)型號(hào)參數(shù)對(duì)比

　　三、芯片典型應(yīng)用電路

　　SIT1051T/3是一款滿足國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)的高性能(CAN FD)收發(fā)器芯片。其典型應(yīng)用電路如下：

　　1、分裂終端

　　分裂終端(split termination)的概念如圖所示，總線端節(jié)點(diǎn)的終端電阻都被分成兩個(gè)等值的電阻，即用兩個(gè) 60Ω的電阻代替一個(gè) 120Ω的端電阻，在終端的中間分接點(diǎn)處通過(guò)一個(gè)電容 C(1nF~100nF)連接到地。這種接法可以有效減少輻射，使系統(tǒng)有更好的抗干擾性?？偩€上的其它 Stub 節(jié)點(diǎn)也可以選用相似的分裂終端配置。Stub 節(jié)點(diǎn)的電阻選擇必須使包括所有終端電阻的總線負(fù)載在 50Ω~65Ω的規(guī)定范圍中。例如，有 10 個(gè)節(jié)點(diǎn)時(shí)，8 個(gè) stub節(jié)點(diǎn)和 2 個(gè)總線終端節(jié)點(diǎn)，典型 Stub 節(jié)點(diǎn)的電阻值是 1.3kΩ。

　　如果使用了分裂終端后的 EMC 性能仍不足夠，也可以選擇使用對(duì)地匹配電容和共模電感(電感扼流器)。

　　如不需要使用分裂終端，可直接接終端電阻。

　　2、對(duì)地匹配電容

　　CANH 和 CANL 輸出到 GND 的一對(duì)匹配電容用于提高抗電磁干擾的性能。相應(yīng)噪聲源的阻抗和 CANH 和 CANL 對(duì)地的電容組成了一個(gè) RC 低通濾波器。電容值必須由節(jié)點(diǎn)的數(shù)量和數(shù)據(jù)傳輸頻率決定。一般選取<100pF，如果外接 ESD 保護(hù)器件，該電容值可適當(dāng)減小或省掉。圖中串聯(lián)電阻可調(diào)整與對(duì)地電容形成的低通濾波器性能，但電阻值不應(yīng)過(guò)大，導(dǎo)致顯性差分電壓值降低明顯。

　　3、共模電感

　　共模電感對(duì)共模信號(hào)有高阻抗，對(duì)差動(dòng)信號(hào)有低阻抗。因此，由 RF 噪聲和/或收發(fā)器驅(qū)動(dòng)器的不理想對(duì)稱產(chǎn)生的共模信號(hào)都被顯著地衰減。所以，電感扼流器可以減少輻射以提高抗干擾性。

　　如果首先要提高抗干擾性， 建議將對(duì)地電容放置在收發(fā)器和普通模式扼流器之間。如果，另一方面，要減少輻射，則建議將電容放置在扼流器和分裂終端之間。

　　4、ESD 保護(hù)器件

　　如果系統(tǒng)需要在-30V~+30V 共模范圍內(nèi)正常工作，需選用雙向 ESD 保護(hù)器件。如果共模變化范圍為正，可選用單向二極管 ESD 保護(hù)器件。在系統(tǒng)通訊速率較高時(shí)，最好選用響應(yīng)速度快且電容值小的 ESD 保護(hù)器件。